DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET

0

DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET

DigiTimes: Samsung Electronics испытывает трудности с освоением техпроцесса 3 нм на основе технологии GAAFET

В недавней заметке о повышении цен на услуги TSMC с отсрочкой перехода на техпроцесс 3 нм мы с оптимизмом вскользь упоминали о планах Samsung Electronics начать выпуск 3-нанометровой продукции в 2022 году. Но если верить сообщению DigiTimes Asia, южнокорейский гигант продолжает испытывать некие серьезные технологические трудности с освоением перспективной технологии GAAFET, идущей на смену нынешней FinFET, и ее внедрение могут отложить до 2023 года.

Для справки: архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Именно она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Более подробно о GAAFET и успехах Samsung Electronics в освоении следующей ключевой литографической технологии мы рассказывали в начале года:

Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET

В докладе DigiTimes Asia указывается, что в текущем виде техпроцесс Samsung 3GAE (потенциальный 3LPP) не дотягивает до конкурирующей технологией TSMC 3 нм FinFET с точки зрения производственных затрат и объемов выпуска. И если раньше Samsung планировала перейти к пробному выпуску продукции по техпроцессу 3 нм на основе технологии GAAFET в 2021 году и развернуть полноценное серийное производство в 2022 году, то в текущих реалиях уже рассматривается конец 2022-го – начало 2023-года. И здесь речь о первом поколении технологии GAA Early (GAE). На смену GAA Early в будущем придет улучшенный GAA Plus второго поколения (GAP), который Samsung первоначально рассчитывала запустить в 2023 году.